Titel
Hoge kappa metaaloxides voor IC toepassingen : CSD depositie & karakterisatie van MIM en MOS structuren. (Onderzoek)
Abstract
Microprocessoren worden steeds meer en meer verkleind zoals beschreven in de wet van
Moore[1]. Daardoor verkleint ook de MOSFET*, het belangrijkste onderdeel ervan. Ook bij
het DRAM wordt gestreefd naar steeds hogere capaciteit en daarmee gepaard het steeds
meer verlagen van de dikte van de diëlektrische laag. Het SiO2 dat werd gebruikt als
diëlektricum (k=3,9) had voor deze toepassingen zeer goede eigenschappen.
Wat SiO2 zo┌n geschikt materiaal maakte voor deze
toepassing, was dat het een thermische en chemische
stabiliteit garandeerde en een grote bandkloof vormde
met Si. Omdat SiO2 werd gegroeid op het Si bezat het
een zo goed als defectvrij raakvlak[2-4].
De ITRS (International Technology Roadmap for
Semiconductors) vereist voor de toekomst echter een
verdere daling van de poortdiëlektricumdikte (tot
0,7nm)[5] en ook voor DRAM moet de condensatordikte
verder verlaagd worden[6]. Een groot probleem bij deze verdere verkleining van het
SiO2 is dat er een ontoelaatbaar grote lekstroom wordt bekomen door
tunnelingeffecten, wat leidt tot sterke warmte-ontwikkeling, verhoogd stroomverbruik en
afname van de betrouwbaarheid. Een mogelijke oplossing is het gebruik van
alternatieve diëlektrica met een hogere k-
waarde, waardoor voor dikkere lagen dezelfde
specifieke capaciteit, maar lagere lekstromen
bekomen worden. De capaciteit wordt immers
gegeven door volgende formule voor een
parallelle plaatcondensator:
C = J0kA/t
Met C: capaciteit
J0: permittiviteit van vacuüm
k: diëlektrische constante
A: oppervlakte van de condensatorelektrode
t: dikte van de diëlektrische laag
De capaciteit is dus rechtevenredig met k en omgekeerd evenredig met de dikte van het
diëlektricum.
Om eenvoudig verschillende materialen te vergelijken wordt een equivalente
oxidedikte (EOT = teq) en een capaciteit equivalente dikte (CET) gebruikt. Hierbij
wordt de dikte van het nieuwe materiaal (tfys) beschreven als de dikte van SiO2 die nodig
is om dezelfde specifieke capaciteit te bekomen.
EOT = teq = (kox/k) tfys CET(V) = J0kox/C┌(V)
met kox de diëlektrische constante van SiO2 en k die van het nieuwe materiaal. Het
streefdoel voor het MOS poortdiëlektricum is een EOT van 5 tot 6 Å, verwacht voor 2014.
Voor de MIM wordt getracht een CET waarde van 4,5 Å te bekomen[7].
De nood aan alternatieve hoge-k poortdiëlektrica leidde recent tot de introductie van een
Hf gebaseerd materiaal in de huidige ┐multicore└ processoren[8]. Voor de 3de generatie
poortdiëlektrica worden echter nog hogere k-waarden vereist (~30-50), terwijl ook
voor geheugentoepassingen naar hogere k materialen wordt gezocht (~80-120).
Het huidige project zal een bijdrage leveren aan de ontwikkeling van geschikte
metaaloxides met hoge diëlektrische constante voor toepassing in toekomstige
transistor- en geheugengeneraties.
Periode
01 januari 2008 - 31 december 2011