Project R-3492

FWO onderzoeksproject: Design van metaal oxide halfgeleiders met een lagere bandkloof en een hogere mobiliteit (Onderzoek)

Er bestaat een brede waaier aan oxide halfgeleiders (In-Ga-Zn-Sn-O) wiens huidig gebruik beperkt is tot amorfe dunne films. Niettemin tonen deze materialen al drager mobiliteiten tussen 10 en 100 cm2/Vs, veel groter dan amorf silicium en zijn daardoor extreem interessant met het oog op geoptimaliseerde electronica. Het ultieme doel is de drager mobiliteit in oxides nog meer te verhogen, tot groottes voorbij hetgeen dat tot nu toe bereikt is, en een nieuwe klasse aan samenstellingen voor halfgeleider applicaties te openen. Het huidige project zal bijdragen tot deze zoektocht en onderzoek naar wegen om de bandgap en mobiliteit van geleidende oxides te controleren. Deze problemen zullen gericht worden door band gap engineering m.b.v. enerzijds sub-oxides en artificiële heterostructuren en het onderzoek naar epitaxiale crystalline oxides anderzijds. Daarom is het doel van het project om inzichten in de fundamentele mechanismen onderliggend oxide halfgeleider eigenschappen mikkend op oxiden met een lagere bandgap en hogere mobiliteit. De uitdagingen waarop gefocust zal worden zijn de afzetting van (alleenstaande) crystalline films evenwel als het stemmen van de bandgap door sub-oxide formatie en synthese van gelaagde heterostructuren. Hiertoe zullen MBE en chemische oplossing afzetting (sol-gel methodes en hydrothermale epitaxie) gebruikt worden in combinatie met gespecialiseerde annealing methodes.

01 januari 2012 - 31 december 2015