Project R-3652

BOF NI project: Design van metaal oxide halfgeleiders met een lagere bandkloof en een hogere mobiliteit (Onderzoek)

Er bestaat een brede waaier van oxyde halfgeleiders (In-Ga-Zn-Sn-O) waarvan het huidig gebruik beperkt is amorfe dunne films. Echter, al deze materialen tonen reeds drager mobiliteiten tussen 10 en 100 cm2/Vs, veel groter dan amorf silicium en dus zeer interessant rekening houdend met geoptimaliseerde elektronica. Het uiteindelijke doel is om de drager mobiliteit in oxiden nog verder te laten toenemen, verder dan tot de orde van grootte wat tot nu toe is bereikt en om een nieuwe klasse van verbindingen voor halfgeleidertoepassingen te openen. Het huidige project zal bijdragen tot deze zoektocht en zal manieren onderzoeken om de bandkloof en de mobiliteit van geleidende oxides te controleren. Deze vraagstukken zullen worden aangepakt door bandkloof technieken door het gebruik van sub-oxiden alsmede de kunstmatige heterostructuren en het onderzoek van epitaxiale kristallijne oxiden. Vandaar dat het doel van het project is om inzichten te ontwikkelen in de fundamentele mechanismen die ten grondslag liggen aan oxidehalfgeleider eigenschappen die gericht zijn op oxiden met een lagere bandkloof en een hogere mobiliteit. De uitdagingen waar op gefocust zal worden zijn de afzetting van (enkele) kristallijne films en het afstemmen van de bandkloof door sub-oxide vorming en de synthese van gelaagde heterostructuren. Daartoe wordt MBE en chemische depositie oplossing (sol-gel methode en hydrothermische Epitaxy) gebruikt in combinatie met gespecialiseerde gloeimethoden.

01 januari 2012 - 31 december 2015